Temperature dependent IBIC study of 4H-SiC Schottky diodes

VITTONE, Ettore;OLIVERO, Paolo;LO GIUDICE, Alessandro;
2007-01-01

2007
2006
86
87
http://www.lnl.infn.it/~annrep/read_ar/2006/contributions/pdfs/086_B_102_B097.pdf
Ion beam induced charge, Silicon carbide
E. Vittone; P. Olivero; C. Manfredotti; A. Lo Giudice;F. Fizzotti; E. Colombo; Y. Garino
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
086_B_102_B097.pdf

Accesso aperto

Descrizione: 086_B_102_B097
Tipo di file: PDF EDITORIALE
Dimensione 463.79 kB
Formato Adobe PDF
463.79 kB Adobe PDF Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2318/103209
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact